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}}}接下来我们要讨论解析后我们数据存储的问题,其实在资源比较足够的情况下或者能够挤出data区的情况下可以考虑用结构体,我们构造好相应结构体,将接收到的数据存储进去,要应用的时候就十分方便。但这也有个矛盾,一般c51定义的结构体都被存储在data区,一般通讯的字节量大空间必然不够,存在一个矛盾,可以采用联合体union进行存储效果会好一点。当然也可以在保存数据时采用定义在xdata区(片外)的buffer来存储。MOS管型防反接保护电路利用了MOS管的关特性,控制电路的导通和断来设计防反接保护电路,由于功率MOS管的内阻很小,现在MOSFETRds(on)已经能够到毫欧级,解决了现有采用二极管电源防反接方案存在的压降和功耗过大的问题。极性反接保护将保护用场效应管与被保护电路串联连接。一旦被保护电路的电源极性反接,保护用场效应管会形成断路,防止电流烧毁电路中的场效应管元件,保护整体电路。N沟道MOS管防反接保护电路电路如示N沟道MOS管通过S管脚和D管脚串接于电源和负载之间,电阻R1为MOS管电压偏置,利用MOS管的关特性控制电路的导通和断,从而防止电源反接给负载带来损坏。具体来讲,TN-C系统是指自变压器低压端中心点起,将N和PE线一条线,即PEN线。该供电系统适用于都是三相用电设备的小型单位,由于三相负荷均衡,故PEN线上的电位接近于零(系统接线见简图一示)。采用这种供电系统的用电设备金属外壳直接同PEN线连接——即将用电设备外露可导电部分连接至保护零线(PEN),又被称为保护接零。、TN-S系统:表示N线和PE线分的变压器中性点接地供电系统。TN-S系统接线见简图二所示。直流的电流方向是不变的,而交流电的电流是交替变化的,就电源而言,他的正负极是交替变化的。方向不变的电流是直流,电流从正级流向负级,方向随时间周期变化的是交流,也就是正负级交替变化,所以交流电一般不讲正负级。零线是变压器中性点引出的线路,与相线构成回路对用电设备进行供电,通常情况下,零线在变压器中性点处与地线重复接地,起到双重保护作用电压是两点间电位差。有了电压,电子就会在电线中流动形成电流。这就像水从高处向低处流动的道理是一样的。 |
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