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当有元素重叠安排时,就必然出现前台和后台问题。有可能出现不同的视觉效果,可以按要求进行调整。并非所有元素都是显形的。有些元素如果其颜色与背景相同,有可能看不见。有些动态显示的元素,当无内容可显示时,也有可能看不见。上一节所介绍的触摸键,就可以设定为隐形的,但功能不变。元素的和复制与所有的绘图软件一样,元素、组件或整个界面可以随时被,也可被复制。可复制到本界面,也可复制到其他的界面上,甚至可以复制到其他设计项目的界面上(注意:并非所有界面都具有通用性。

废旧电缆利用方法
1.手工剥皮法:该法采用人工进行剥皮,效率低、成本高,而且工人的操作环境较差;
2.焚烧法:焚烧法是一种传统的方法,使废线缆的塑料皮燃烧,然后其中的铜,但产生的烟气污染极为严重,同时 ,在焚烧过程中铜线的表面严重氧化,降低了金属率,该法已经被各国严格禁止;
3.机械剥皮法:采用线缆剥皮机进行,该法仍需要人工操作,属半机械化,劳动强度大,效率低,而且只适用粗径线缆;
4.化学法:化学法废线缆技术是在上个世纪90年代提出的,一些 曾进行研究,我国在“八五”期间也进行过研究。该法有一个的缺点是产生的废液无法,对环境有较大的影响,故很少采用;
5.冷冻法:该法也是上个世纪九十年代提出的,采用液氮制冷剂,使废线缆在极低的温度下变脆,然后经过破碎和震动,使塑料皮与铜线段分离,我国在“八五”期间也曾经立项研究,但此法的缺点是成本高,难以进行工业化的生产


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导线截面积与载流量的计算
一、一般铜导线载流量导线的安全载流量是根据所允许的线芯温度、冷却条件、敷设条件来确定的。 一般铜导线的安全载流量为5~8A/mm2,铝导线的安全载流量为3~5A/mm2。 <关键点> 一般铜导线的安全载流量为5~8A/mm2,铝导线的安全载流量为3~5A/mm2。如:2.5 mm2 BVV铜导线安全载流量的值2.5×8A/mm2=20A 4 mm2 BVV铜导线安全载流量的值4×8A/mm2=32A
二、计算铜导线截面积利用铜导线的安全载流量的值5~8A/mm2,计算出所选取铜导线截面积S的上下范围: S=< I /(5~8)>=0.125 I ~0.2 I(mm2) S-----铜导线截面积(mm2) I-----负载电流(A)
三、功率计算一般负载(也可以成为用电器,如点灯、冰箱等等)分为两种,一种式电阻性负载,一种是电感性负载。对于电阻性负载的计算公式:P=UI 对于日光灯负载的计算公式:P=UIcosф,其中日光灯负载的功率因数cosф=0.5。 不同电感性负载功率因数不同,统一计算家庭用电器时可以将功率因数cosф取0.8。也就是说如果一个家庭所有用电器加上总功率为6000瓦,则电流是 I (A) 但是,一般情况下,家里的电器不可能同时使用,所以加上一个公用系数,公用系数一般0.5。所以,上面的计算应该改写成 A) 也就是说,这个家庭总的电流值为17A。则总闸空气关不能使用16A,应该用大于17A的。

在拿到DA模块说明书时,有很多人看不懂里面的说的什么,怎么样,对于AD和DA是如何转换的不清楚,今天就将一下转换机制:AD和DA模块中有个缓冲存储器分配(BFM),它是与plc数据时暂时存放数据的地方,FX2N的BFM使用如下表:BFM很多人看不懂这个表说的什么,首先BFM是16位存储,(PLC中的16位、32位就是二进制的位而不是10进制)。b1b1b1b1b1bbbbbbbbbbb0对于FX2DA,我们只用到BFM的16和17两个编号,其他保留不用看,在#16里面,只用前8位,b7~b0,其他保留不用看。KM1和KM2的线圈分别串彼此的辅助常闭点。一般实际应用的时候,SB2和SB3两个按钮也要机械互锁。双重互锁更加的安全。一键启停这个电路没有太大的实用性,但是非常适合学习。2个中间继电器和一个交流接触器,我们看一下电路,2个继电器互锁,KA1的线圈串KM的辅助常闭点,KA2的线圈串KM的辅助常点。所以按下SB按钮关KA1自锁,同时KA1的常点闭合KM自锁,实现了启动操作。然后再按下SB按钮关,KA2又会自锁,KA2的常闭点会断,而KA2的常闭点是串的KM的线圈,所以同时KM线圈失电,实现停止操作。单片机的学习者有初入职场的菜鸟工程师,有渴求知识的在校大,也有迫于项目需求的电子工程师。迫于项目需求转换发的电子工程师往往具备其他类型单片机的使用经验,学习新类型的单片机并不会有太大的障碍,但是菜鸟工程师和在校大就是真正的“初学者”。初学者在始学习单片机的时候都有一个相同的问题那就是“怎么才能尽快地学会使用单片机?”菜鸟工程师由于身边有“老”的指导,加之有目的明确的工程项目的驱动,在单片机学习上并不会走太多的弯路。场效应管通常分为两类:JFET和MOSFET。这两类场效应管都是压控型的器件。场效应管有三个电极,分别为:栅极漏极D和源极S。目前MOSFET应用广泛,JFET相对较少。MOSFET可以分为NMOS和PMOS,下图是PMOS的结构图、NMOS和MOSFET的电路符号图。PMOS的结构是这样的:在N型硅衬底上了两个P型半导体的P+区,这两个区分别叫源极S和漏极D,在N型半导体的绝缘层上引出栅极G。为了省钱有时还得用步进驱动来控制,两个不同型号驱动器对同一型号的步进电机的设置。步进电机的型号:原来老机器上配的步进驱动器型号:2HB808MAE新造几台机器老型号驱动器订不到了,电机还能订到。新的驱动器型号:MA860H这一看和我原先的不一样。我始旋转大脑,从网上查得知对于电机的步距角是1.8度,也就是转一圈要200个脉冲。而老的型号设的是1,3,4,6,7,9为ON 0个脉冲转一圏。